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该文提出了一种用于展宽 Colpitts压控振荡 器(VCO)调 谐 范 围(TR)的 技 术。为了实现宽调谐范围,
采用一种可变电容反馈技术,该技术同时可得到优于传统 ColpittsVCO 的相位噪声。且该结构采用动态正向衬底
自偏技术,以 实 现 VCO 较 低 功 耗、易于起振的特性。基 于90nm CMOS工 艺,设 计 了 一 款 VCO,其 相 位 噪 声 为
-101.9dBc/Hz@1MHz,调谐范围为28.1%,考虑调谐范围的品质因数可达-192.2dBc/Hz。芯 片 在1V电 压
供电下,消耗了5.8mW,芯片面积为0.45mm2。
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